| 目前专利所处阶段 | 申请完成 | 专利关键词 | 纳米阵列、Ag、肖特基结 |
| 专利名称： | 一种ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列Ag肖特基结及其制备方法 | 专利号： | CN201510496358.2 |
| 专利申请国家 | 中国 | 联系人 | 段理 |
| 专利描述 | 本发明公开了一种纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法，肖特基结包括半导体部分和金属部分，所述的半导体部分为纳米阵列，所述的金属部分为Ag；按摩尔比计，纳米阵列中 =0.80～0.99， =0.01～0.15。对纳米阵列进行一系列组合方案处理：先在氧气氛围中热处理，再用双氧水超声清洗，再进行紫外臭氧联合处理，最后再在氧气氛围中热处理。经过上述处理后在利用磁控溅射在纳米阵列顶部镀上Ag，形成纳米阵列/Ag肖特基结。 | ||